Modélisation du transistor bipolaire intégré 2 : dispositifs à hétérojonctions
Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique

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Langue : Français

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Date de parution :
Ouvrage 234 p. · 16x24 cm · Relié
ISBN : 9782746211728 EAN : 9782746211728
Hermes Science
Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.
Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V -Ph. Cazenave. Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe -B. Ardouin, T. Zimmer, Ph. Cazenave. Modélisation bipolaire avancée -B. Ardouin, T. Zimmer. Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -T. Zimmer, B. Ardouin. Bibliographie. Index.