Caractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide
Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique

Auteurs :

Langue : Français
Date de parution :
Ouvrage 218 p. · 16x24 cm · Relié
ISBN : 9782746206052 EAN : 9782746206052
Hermes Science
Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés.
Préface. Avant-propos. Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide -François Tardif. Introduction. Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés. Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille. Objectifs en termes de propreté des tranches. Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide. Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains. Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end. Exemples de séquences de nettoyages utilisées. États physico-chimiques des surfaces après nettoyage. Conclusion. Données utiles. Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon. Introduction. Interactions physiques avec la matière. Caractérisations physiques. Caractérisation de la contamination. Conclusions générales. Bibliographies/Index.